立方結構PbSe薄膜在六角硒化鎘單晶(0001)表面的外延生長研究
作者：潘棋; 王健; 任羿烜; 范旭東; 程紅娟; 劉興釗 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室電子科學與工程學院電子科技大學; 成都610054; 中國電子科技集團公司第46研究所; 天津300220
摘要：采用分子束外延技術在六角鉛鋅礦結構CdSe單晶基片(0001)表面生長了立方結構PbSe薄膜,通過對所生長PbSe薄膜的X射線衍射(XRD)及透射電鏡(TEM)分析,闡明了所生長立方PbSe薄膜與六角纖鋅礦結構CdSe(0001)的外延關系,高分辨率TEM分析結果顯示:CdSe基片與PbSe薄膜之間界面清晰,PbSe薄膜的晶體結構完整,其電子衍射譜的各級衍射斑點無明顯畸變;XRD分析結果顯示:所生長立方PbSe薄膜為(100)取向,PbSe薄膜與CdSe單晶的面內外延關系為PbSe[110]//CdSe[100],并呈現出三種不同面內取向晶粒鑲嵌排列的微觀結構,這表明:雖然六角鉛鋅礦結構CdSe(0001)面與立方PbSe(100)面具有不同的對稱性,但仍能生長出高質量的PbSe薄膜,并為PbSe薄膜的應用奠定了可能。
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