摘要：針對壓接型絕緣柵雙極晶體管(IGBT)內部均流設計,對多芯片壓接結構及其壓力均衡、壓接型IGBT芯片內部均流、子單元間均流等方面進行了研究和優化設計。試驗驗證了壓接型IGBT具有良好的電流關斷能力、短路電流能力及反偏安全工作區,器件內部均流狀態較好。