摘要：利用拉曼光譜研究了He^2＋ 注入六方SiC晶體樣品時的損傷缺陷隨注量的變化關系，并采用直接碰撞/缺陷模擬模型與多級損傷累積模型，模擬了室溫及723，873，1 023 K 下晶體樣品的無序度隨注量的變化關系。測試結果表明：隨著注量的增加，晶體樣品無序度增大，樣品的拉曼特征峰強度減小。