Cu2Sn(S,Se)3薄膜的溶液法制備及其光電性能研究
作者：陳建彪; 常樂; 趙雲; 李燕; 王成偉 西北師范大學物理與電子工程學院; 甘肅蘭州730070; 中國科學院蘭州化學物理研究所清潔能源實驗室; 甘肅蘭州730000
摘要：采用低廉、簡便及易于控制元素組成的溶液法在鈉鈣玻璃和鉬玻璃基底上沉積Cu-Sn-S前驅體膜,隨后在N2保護下硒化獲得到Cu2Sn(S,Se)3薄膜,并通過調控前驅薄膜的硒化退火溫度,實現了對薄膜形貌、物相結構、電學及光學性能的有效調制.研究結果表明,適當的硒化退火溫度,如480℃,可得到表面平整、結晶度高、晶粒致密和雙層結構(上層大、下層小晶粒)的Cu2Sn(S,Se)3薄膜,其帶隙為1.28eV,載流子濃度可低至6.780×1017cm^-3,遷移率高達18.19cm2·V^-1·S^-1,可用于薄膜太陽能電池的光吸收層.
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