摘要：采用高溫固相法制備Mg^2+摻雜YF3:Er^3+,Yb^3+材料,以增大其在激光防偽領域的發射強度。通過980 nm半導體激光器激發的上轉換發射光譜,可知Mg^2+含量為1.0mol%時,其548 nm綠光和660 nm紅光強度分別是未摻雜Mg^2+樣品的1.5倍和1.4倍。Mg^2+的摻雜使得晶格產生收縮,降低Er^3+和Yb^3+周圍晶體場對稱性,增大4f-4f躍遷幾率。并通過X射線衍射(XRD)探討Mg^2+含量對晶相的影響。通過差熱分析(DTA)、發射光譜、XRD、掃描電子顯微鏡(SEM),對于Mg^2+含量均為1.0mol%但不同燒結溫度的樣品,合成溫度為940℃時光強、結晶度、晶粒生長較好。通過熒光壽命曲線以及發射強度與激發電流的擬合結果,探討548 nm綠光和660 nm紅光的發光機理,并分析980 nm激發YF3:Er^3+,Yb^3+材料的能級躍遷過程。