摘要：無機閃爍晶體在核輻射探測領域有重要的應用,鈰摻雜鋁酸釓鎵(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,縮寫為GAGG:Ce)閃爍晶體性能優良,在高能物理、γ相機等應用領域有廣闊的應用前景,因此成為了當前閃爍體領域的研究熱點。本文總結了GAGG:Ce閃爍晶體近年來主要的研究進展;分析了GAGG:Ce晶體的結構及其穩定性;闡述了反位缺陷對晶體發光性能的影響;通過"帶隙工程"理論解釋了Gd、Ga離子摻雜消除反位缺陷的機理;總結了近年來GAGG:Ce晶體生長中存在的問題及解決途徑;梳理了GAGG:Ce晶體的發光機理、閃爍性能及其影響因素;對各國團隊通過陽離子摻雜的"缺陷工程"理論抑制GAGG:Ce晶體閃爍衰減慢分量的研究進行分析總結;展望了GAGG:Ce閃爍晶體發展方向。