摘要：本文利用密度泛函的廣義梯度近似研究了Mn摻雜InP(111)-In極化面的電子結構與磁學性質。研究結果表明,隨著Mn原子的摻雜位置靠近In極化面,Mn原子摻雜的形成能逐漸降低。并且所有Mn摻雜表面模型均表現出稀磁半導體特征。其原因主要在于費米能級附近的Mn-3d自旋態密度具有不對稱性。通過對Mn不同摻雜位置的電子態密度、費米能級及Mn原子氧化態的對比分析發現,Mn原子的表面摻雜引起了In極化面的表面原子重構。通過對形成能與凈磁矩的分析發現,所有摻雜在表面層的Mn原子的氧化態都是Mn^2+。另外,隨著Mn原子摻雜位置上移,費米能級向低能級方向移動,表面體系表現出明顯的的P型半導體特征。