摘要：本文以4,4’-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐為原料,制備聚酰亞胺(Polyimide,PI)薄膜。并將其與籠型倍半硅氧烷(Polyhedral oligomeric silsesquioxane,POSS),通過原位分散聚合法制備了具有低介電常數POSS/PI復合薄膜。研究了POSS填充量對POSS/PI復合材料介電、熱穩定性及力學性能的影響。結果表明:摻入POSS的含量為0.5wt%時,POSS/PI復合材料的介電常數與介電損耗明顯降低,熱分解溫度變化不大,拉伸強度略有降低。