摘要：通過采用常溫、簡單、成本低且與產線完全兼容的金屬輔助化學刻蝕方法（MACE）,在太陽電池正面制備硅納米線、硅納微米復合結構以及硅倒金字塔等結構,并且采用不同的鈍化方式對太陽電池正面和背面實施鈍化,以期提高器件的光學和電學性能.結果表明,在原子層沉積（ALD）的氧化鋁對單晶硅納微米結構上,同時實現了最低的光學減反（1.38%）和最低的表面復合速率（44.72cm/s）,基于該結構的n型太陽電池最高轉換效率達到21.04%.同時,制備出了光電轉換效率為20.0%,PECVD-SiO2/SiNx疊層鈍化的標準太陽電池尺寸的p型硅基納微米復合結構太陽電池器件.進一步研究顯示為一種新型硅倒金字塔結構陣列,具備更優異的光電性能.這些基于MACE的納微米結構陣列太陽電池顯示出在新一代高效太陽電池方面的極強競爭力.