摘要：研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工藝的3mm波段高增益、寬頻帶功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器結構,結合多節微帶線阻抗匹配方式實現寬帶放大器。由于該頻段器件增益較低,通過合理選擇輸出阻抗點,使放大器實現較高的增益和較大的輸出功率。測試結果表明,芯片在8V漏壓連續波下工作,在55~110GHz在片測試頻率范圍內,增益達到15dB,輸入輸出端口回波損耗基本小于-10dB,便于系統應用。通過分頻段測試,在55~115GHz頻率范圍內,最大飽和輸出功率達到180mW。