摘要：基于0.35μm SiGe BiCMOS工藝,設計了一款工作在5.15~5.85GHz的用于802.11ac系統的高集成射頻前端芯片。芯片集成低噪聲放大器、開關、功率放大器以及電源管理電路、功能控制電路、靜電放電(Electro-static discharge,ESD)保護電路。芯片面積為1.56mm×1.56mm,封裝采用尺寸為2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管腳QFN封裝形式。芯片電源電壓為5V,控制電壓為3.3V。測試結果表明,發射通路的直流電流為120mA,增益為29dB,輸出P-1為27dBm,當輸出功率為18dBm時誤差向量幅度為-34dB;接收通路的直流電流為6mA,增益為12.5dB,噪聲系數為2.4dB,輸出P-1為10dBm。同時,芯片集成功率檢測功能可用于實現發射系統的動態增益控制。ESD測試結果顯示,各端口的ESD保護能力大于1500V(HBM模式)。