Cu摻雜對Cu-Mn-Co-Ni-O薄膜結構和性能的影響
作者：鄒小華; 傅邱云; 李睿鋒 華中科技大學光學與電子信息學院; 湖北武漢430074; 華中科技大學教育部敏感陶瓷工程研究中心; 湖北武漢430074
摘要：通過金屬有機物熱分解法制備了結構為Ag/NTC/SiO2/Si的薄膜NTC(負溫度系數)熱敏電阻,研究了Cu摻雜對CuxMn1.56Co0.96Ni0.48O4+y[x=0~0.25,(x+3)/(4+y)=3/4]薄膜結構和性能的影響,并對其導電機理進行了分析.結果表明,少量Cu(x≤0.2)摻雜可以迅速降低薄膜的室溫電阻值,過量則會導致薄膜產生孔隙和缺陷;Cu主要以Cu+形式存在并占據A位;隨著Cu摻雜量的增加,會使Cu^+和Mn^3+/Mn^4+離子對的含量占比均增加,促進兩種電子跳躍機制導電.當x=0.2時,薄膜電阻有最佳的性能:R25=0.082 MΩ,B25/50=3250 K.
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