摘要：具有優良熱紅外透明性的ZnS是一種重要的寬禁帶半導體材料,在電致發光以及熒光效應方面有很大的潛力,因此被廣泛用于發光器件和光催化等領域。對于ZnS進行適當的摻雜能有效改變其發光和吸收性能,從而讓其作為發光材料擁有更大的應用價值。本工作應用基于密度泛函理論的第一性原理,計算并對比分析了純凈ZnS以及Ag摻雜濃度分別為3.125%、9.375%、25%、50%的ZnS的晶體學結構、電子性質以及光學性質。研究結果表明,更高的摻雜濃度能有效降低禁帶寬度,并增強ZnS在紅外波段的光學吸收與反射。本研究為制備Ag摻雜ZnS半導體提供了理論依據,針對不同需求調節摻雜濃度以制備特定性能的ZnS晶體。